Описание
Спецификация: один кристалл, 50,8 мм * 0,4 мм, длина волны передачи: 1200-14000nm, двусторонняя полировка, пятно.
Материал: Высокая чистота Si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, удельное сопротивление: 0,0001-100 Ом, опционально.
Другие размеры могут быть настроены
Режим роста: прямая тяга
Направленность: [111]/[100]/[110];
Плоскость: <1 микрон (измерение общей бороды)
Шероховатость поверхности: около 5 ангстромов (измерение поверхностной микроморфологии);
Область применения:
1, PVD/CVD покрытие как подложка;
2. Используется в качестве основы для XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и т. Д.
3. Носитель образцов экспериментов с синхротронным излучением;
4. Подложка молекулярного эпитакси роста;
5, полупроводниковый процесс литографии и так далее
Характеристики
- Тип товара
- Ракушка