Описание
Технические характеристики изделия:
1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 Размер: 18,4 мм
3 Диаметр и допуск по уровню поверхности: 18,4 мм
4 Толщина: 500um
5 Модель: Тип P
6 сопротивление: <1-10 Ω ● см
7 направление: <100>
8 полированный: Односторонний полированный
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомной силы роста, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентный спектроскопический анализ подложки, подложка, Молекулярный луч эптриосного роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- diameter * thickness = 18.4mm * 500um
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 18.4mm * 500um
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon