Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm
  • Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm
  • Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm
  • Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

27 725 руб.

Описание

Метод производства:

Химические паровые осаждения (CVD)
Информация о продукте:
Шесть углеродных технологий WS2 пленка делится на различные:
1) один слой дискретно распределенных треугольных цельных кристаллических зерен с треугольной длиной стороны, как правило, от нескольких десятков до сто микрометров.
2) Однослойная непрерывная пленка, которая продолжает расти в далянь треугольными зернами.
3) многослойная пленка WS2 непрерывного действия.
4) Подложка: WS2 имеет более дополнительные подложки, и сапфировый субстрат является продуктом прямого осаждения. Другие субстраты, такие как SiO2/Si, кремниевые пластины, PET, PI, ITO, FTO, стекло, металлические подложки и т. д., передаются на подложку, требуемую заказчиком после роста сапфира.
Применение областях:
Оптоэлектронные устройства, микроэлектронные устройства, биозондирование, химическое зондирование и другие области.
Упаковка и технические характеристики
10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-х дюймовые вафли или по индивидуальному заказу указан изготовление размеров под заказ.
Очищающая вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..
Типичные клиенты включают в себя:
MIT, Caltech, Стэнфордский университет;
Оксфордский университет, Манчестерский университет;
Сеульский национальный университет, корейский научно-технический университет (KAIST) и Университет Sungkyunkwan;
Токийский Технологический центр, Мурата производственная компания, лтд.
Tsinghua, Пекинский университет, Institute of Semiconductors, китайская Academy of Sciences
И другие научно-исследовательские организации мирового уровня.

Сапфировый субстрат WS2 Одиночный слой WS2 изолированный Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Однослойная непрерывная пленка WS2

Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Однослойный Гибридный WS2

Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Сапфировое основание однослойный WS2 (4 дюйма)

Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Вольфрам дисульфид 02: SiO2/Кремниевая подложка WS2/300nm

Характеристики

Номер модели
10mm*10mm
Габаритные размеры
10mm*10mm
Материал
Другое