Молибденовый диселенид 07: ITO подложка MoSe2

Метод производства:

Химические паровые осаждения (CVD)

Шесть углеродных технологий MoSe2 пленка делится на различные:

1) один слой дискретно распределенных изолированных зерен, как правило, имеет боковую длину десятков микрон.

2) Однослойная непрерывная пленка, состоящая из изолированных зерен, продолжает расти вместе в даляне с несколькими слоями зон.

3) Подложка: есть много других подстратов для MoSe2, и SiO2/Кремниевая подложка является продуктом прямого осаждения. Другие подложки, такие как кремниевые пластины, ПЭТ, PI, ITO, FTO, стекло, металлические подложки и т. д., передаются на подложку, требуемую клиентом после роста на SiO2/Si.

Оптоэлектронные устройства, микроэлектронные устройства, биозондирование, химическое зондирование и другие области.

10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-х дюймовые вафли или по индивидуальному заказу указан изготовление размеров под заказ.

Очищающая вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..

MIT, Caltech, Стэнфордский университет;

Оксфордский университет, Манчестерский университет;

Сеульский национальный университет, корейский научно-технический университет (KAIST) и Университет Sungkyunkwan;

Токийский Технологический центр, Мурата производственная компания, лтд.

Tsinghua, Пекинский университет, Institute of Semiconductors, китайская Academy of Sciences

И другие научно-исследовательские организации мирового уровня.