Описание
Описание:
G150N50W4E является высокопроизводительным алюминиевым нитридом (AlN) фланцем
Концевое крепление, предназначенное как стоимость
Конкурентоспособную альтернативу бериллия
Оксид (BeO). Окончание хорошо подходит для всех диапазонов частот сотовой связи
Такие как: AMPS, GSM, DCS, PCS,
PHS и UMTS. Высокая мощность
Обработка делает деталь идеальной для оконечных циркуляторов и для использования в
Мощность combiners. Окончание также соответствует RoHS!
Особенности:
По ограничению на использование опасных материалов в производстве, отвечающих требованиям
150 Ватт
DC-3,0 ГГц
AlN Керамика
Ненихромный резистивный элемент
Низкий КСВН
100% тестирование
Технические характеристики:
Резистивный элемент: толстая пленка
Материал: AlN Керамика
Монтажный фланец: никелированная медь
Рабочая температура: от-50 до + 150 °C (см. Таблицу рейтинга)
Допуск: ±0. 010 ”, если не указано иное. Предназначен для удовлетворения более применимых частей MIL-E-5400. Все размеры указаны в сантиметрах
Электрические характеристики:
Значение сопротивления: 50 Ом, ± 2%
Мощность: 150 Ватт
Частотный диапазон: DC-3,0 ГГц
Обратная потеря: 25 дБ DC-2,0 ГГц 20 дБ DC-3,0 ГГц
Спецификация основана на правильно установленном блоке с помощью предложенных инструкций по монтажу и номинального сопротивления 50 Ом. Технические характеристики могут быть изменены.
Характеристики
- Бренд
- Aideepen
- Материалы для самостоятельного изготовления
- Электрический
- Номер модели
- RFP 150N50F
- Тип выхода
- None
- DC-3GHz RF
- Termination Microwave Resistor
Сопутствующие товары
